功率半导体是什么意思-什么是碳化硅（SiC）？

目前，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料的发展开始受到关注，并已在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机等领域得到应用和家用电器。功率半导体是什么意思，展现出良好的发展前景。

碳化硅概述

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的代表之一，它是由C和Si形成的化合物。 与传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显优势。 是制造高压、高温、耐辐射功率半导体器件的优良半导体材料。 与硅材料的物理性能相比，是现代化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，主要特点包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料的近10倍； （2）导热系数高，超过硅材料的3倍； （3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍； (4)良好的耐辐射性和化学稳定性； (5)与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺生长二氧化硅绝缘层。

碳化硅陶瓷板-骏杰陶瓷

例如，在相同的耐压水平下，Si-MOSFET必须做得更厚，耐压越高，厚度就越厚，导致材料成本更高。 栅极和漏极之间有电压隔离区。 区域越宽，内阻越大，功率损耗也越大。 SiC-MOSFET可以使该区域变薄，达到Si-MOSFET厚度的1/10，同时漂移区的电阻降低至原来的1/300。 导通电阻小，能量损耗也小功率半导体是什么意思，性能提高。

SiC与Si的性能比较

SIC的优点主要包括以下三点：（1）较低的阻抗，导致产品设计更小卡通人物，效率更高； (2)更高的工作频率，允许无源元件做得更小； (3)能够在更高的温度下运行意味着冷却系统可以更简单。

另外，比较SiC-SBD（肖特基二极管）和Si-FRD的恢复特性吉祥物，SiC-SBD的恢复过程几乎不受电流和温度的影响； 比较SiC-MOS和Si-IGBT/Si-MOS的开关特性，开关关断时的损耗大大降低，体二极管的恢复特性特别好。