什么是半导体:
半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”特性的物质。 它可以实现交流电变为直流电——“整流”、增加电信号——“放大”、接通或阻断电——“开关”等。
1.什么是功率半导体:
功率半导体是能够支持高电压、大电流的半导体,在分立器件中占据主要地位。 它具有与普通半导体不同的结构,在使用高电压和大电流时不会损坏。 功率半导体主要用于改变电压和频率; 或将直流转交流、交流转直流等形式的电能转换。
2、功率半导体器件的主要功能:
功率半导体的作用是在高电压或大电流条件下改变电压和频率,或将直流转交流、交流转直流等,包括变频、电压转换、电流转换、功率放大和电源管理等。
3、功率半导体器件的种类:
功率半导体器件的类型很多,功率半导体根据载流子类型可分为双极型和单极型功率半导体。 双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)、功率晶体管(Giant Transistor表情包设计,GTR)、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)等。极性功率半导体包括功率MOSFET 、肖特基势垒功率二极管等以及保护器件可以视为该行业的分支。
4、功率半导体器件芯片生产线:
四寸线对应晶闸管、功率半导体过压保护器件(TVS、TSS、可编程过压保护集成电路等)、二极管(高阻断压二极管、低压降二极管、整流桥等); 六英寸线对应高端肖超基晶圆和高压MOSFET; 八英寸线对应IGBT、沟槽MOSFET、超结MOSFET; 十二英寸线对应一些IGBT。
5、功率半导体应用领域:
终端应用领域包括光伏发电、风力发电、轨道交通、新能源汽车、照明、仪器、仪表、家电、通信、IT等。 商业模式:主要是B2B2C和B2C。 其中IDM具有核心竞争力。
6、功率半导体市场结构:
厂家制造水平较高,形成了较高的专业壁垒。 预计2022年功率半导体市场规模将达到426亿美元。在功率半导体市场中,英飞凌以12%的市场份额排名。 欧美日厂商凭借其技术和优势,占据了功率半导体器件70%的市场份额。 中国大陆和台湾地区主要集中在二极管、低压MOSFET等低端功率器件市场,而IGBT、中高压MOSFET等高端器件市场主要被欧美、日本厂商占据。
我国功率半导体研究工作相对较晚,且受资金、技术和人才限制,功率半导体产业整体呈现数量少、企业规模小、技术水平低、产业布局分散的特点。 原始创新问题已成为阻碍国内功率半导体产业发展的重要因素。 功率半导体厂商尚未形成专利和标准垄断。 与国外厂商相比,国内厂商在服务客户需求、降低成本方面具有竞争优势。 功率半导体国产替代空间巨大。
7、功率半导体器件的现状:
中国功率半导体市场占全球功率半导体市场50%以上,但中高端MOSFET和IGBT器件90%依赖进口。
8.功率半导体器件的分类
功率半导体器件包括MOSFET、二极管、IGBT、晶闸管等,属于同一器件类别,都是功率和能量转换开关元件,但侧重于不同的应用领域。 例如,晶闸管适用于低频交流控制、中大功率应用; MOSFET 适用于高频直流控制、中小功率应用。 晶闸管和MOSFET可用于同一终端电器。 例如,可以使用晶闸管将交流输入电源转换为直流电,然后使用MOSFET进行直流降压控制。 例如,家用电器的交流输入端由晶闸管控制,而MOSFET用于后续的直流转换控制。 ; 电动工具的交流输入由晶闸管控制,直流无刷电机则采用MOSFET。 MOSFET和晶闸管都是功率半导体器件,生产工艺和设备完全兼容,主要包括光刻、腐蚀、扩散、离子注入、薄膜沉积、背面减薄、金属化等工艺。 主要区别在于晶闸管的光刻线宽。 要求不高,高温扩散温度比较高。
1、晶闸管:晶闸管又称晶闸管,属于功率半导体器件领域。 它是一种具有整流器件特性的功率半导体开关元件。 可在高电压、大电流条件下工作功率半导体是什么意思,且工作过程可控。 ,电流控制装置。 因此,晶闸管可广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变器、变频等电子电路中。 终端产品:白色家电(洗衣机、冰箱、热水器等)、小家电、电动工具、漏电保护器、汽车电子等。
2、保护装置:保护装置又称浪涌保护器,是一种响应时间极快、浪涌吸收能力高的电源线路过电压保护装置。 当两端受到瞬时大容量冲击时,能以极高的速度使两端之间的阻抗值由高阻变为低阻,以吸收瞬时大电流,保护后续电路元件免受瞬态冲击。高电压尖峰。 它可用于保护设备或电路免受静电、感性负载切换时产生的瞬态电压以及感应雷击产生的过电压的影响。 最终产品:电表、网络通讯、安防系统、照明系统。
金属氧化物半导体场效应晶体管全称Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,属于功率半导体器件领域吉祥物,也是一种功率半导体开关元件。 它是一种具有高输入阻抗和高开关速度的压控电源转换器。 速度快、转换效率高等特点。 最终产品:家用电器、汽车电子、消费电子(手机、笔记本电脑、电线)、开关电源(充电器、适配器、LED)、电动工具、无刷电机、逆变器(UPS、太阳能逆变器、风能逆变器)。
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控电压驱动功率半导体器件。 IGBT可以实现直流与交流之间的转换或改变电流的频率,具有逆变和变频的功能。
IGBT多用于高压领域,MOSFET主要用于高频领域。 从产品来看,IGBT一般应用于600-6500V电压范围的高压产品。 MOSFET的应用电压较低,从几十伏到1000V。 然而,IGBT 的工作频率比 MOSFET 低得多。 MOSFET的工作频率可以达到1MHz以上,甚至几十MHz,而IGBT的工作频率只有100KHz。 IGBT集中在逆变器、变频器等高压产品中。 MOSFET主要应用于镇流器、高频感应加热等高频产品。
从电压分布来看,消费电子领域使用的IGBT产品主要在600V以下,如数码相机的手电筒。 1200V以上的IGBT多用于电力设备、汽车电子、高铁和机动车辆等领域。 动车组常用的IGBT模块有3300V和6500V。 智能电网中使用的 IGBT 通常为 3300V。
九、半导体发展历史
半导体大致可以分为三代,第一代半导体也被称为新一代半导体(理解是材料的差异导致应用领域的延伸和扩展,包括一些功能)。
第一代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)主要用于以计算机为代表的数值计算,造就了“美国硅谷”高科技产业集群功率半导体是什么意思,促成了半导体等半导体材料的诞生。如英特尔和德州仪器。
最新半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)主要应用于无线通信领域,带来了光纤通信、移动通信、GPS导航等电子信息产业的快速发展。
新一代半导体材料具有大禁带宽度(能带隙),又称宽带隙半导体; 主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),SiC已接近产业化(目前国内一些功率半导体器件厂商联合一些院所联合研发,实现少部分量产)。 新一代宽禁带半导体具有高导热率、高击穿场强、高饱和电子漂移率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温等恶劣条件的新要求、大功率、高电压、高频、耐辐射。 要求,将逐步形成功率半导体器件的发展趋势。 当前一代半导体的典型应用包括新能源汽车、轨道交通、电力传输系统、并网太阳能和风能、雷达、5G移动通信等领域。
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